与锂吃瓜91 不同的是，当密封镍氢吃瓜91 (MH-Ni)重复进行不完全的充放电循环时，吃瓜91 出现可恢复的电压下降和容量减少。例如，吃瓜91 先进行一次完全放电和充电，然后进行几次部分放电到1.15V与充电循环，在循环过程中电压和容量逐渐下降，接着再进行完全放电。

此时的电压低于吃瓜91 初始全放电的电压。吃瓜91 放电到初始终止电压时并没有释放全部吃瓜91 容量。这种现象称为电压下降。由于吃瓜91 似乎记住了较低的容量，因而有时称为“记忆效应”。但经过几次完全充放电循环后，吃瓜91 可恢复全部容量，即MH-Ni吃瓜91 存在轻微的但可以恢复的“记忆效应”。

近年，你或许经常听到别人说"镍镉吃瓜91 和镍氢吃瓜91 使用困难，因为它有记忆效应"或"当一块吃瓜91 开始有记忆效应，就是时候替换它了"。吃瓜91 的记忆效应的确是发生在某些充电吃瓜91 身上，表现是充电吃瓜91 容量减少的现象。人们越来越广泛地使用这个名词来描述类似的情况，但实际上它并不是持久的现象。可是，很多用户似乎并不了解它的意思，所以我们在这里为大家解释。更加专业的说法是吃瓜91 记忆效应是指吃瓜91 可逆失效。

记忆效应是指吃瓜91 长时间经受特定的工作循环后，自动保持这一特定的倾向。袋式吃瓜91  不存在记忆效应.烧结式吃瓜91 有记忆效应。如吃瓜91 经过长时间浅放电循环后，再进行深放电时，表现出明显的容量损失或电压下降。因此我们来说一下记忆效应的排除方法，它是以正常充电方法使吃瓜91 达到完全充电状态，通常用过充电方法来完成。吃瓜91 完全充电后以大电流放电至终止电压，再转成小电流放电至完全放电状态，然后以0.1C5A恒流充电20h以上，以保证吃瓜91 正、负极都达到完全充电要求，然后按常规放电至完全放电状态。通过多次充放电循环，便可消除记忆效应。发生电压下降的原因是在浅充电或部分放电过程中，只有一部分活性物质参与了放电和充电;未参与循环的活性物质的物理性质发生了变化，吃瓜91 内阻也变大。随后进行完全充放电循环可将活性物质恢复到初始状态。电压下降和容量损失的程度取决于放电深度。当放电到较高的终止电压，这种现象非常明显。当终止电压在1.15-1.10V时，这种损失较小。

若终止电压低于1.1V，则在随后的放电过程中不会出现明显的电压下降和容量减小。记忆效应还与放电率有关。对于一个特定的放电终止电压，放电率越高其放电深度就越小，参与循环的活性物质就越少，那么容量损失就加大。

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